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单MOSFET晶体管 / IPP126N10N3GXKSA1
- 价格 起订量
- ￥ 3.77149 1+
- ￥ 3.55801 10+
- ￥ 3.35661 100+
- ￥ 3.16661 500+
- ￥ 2.98737 1000+
- 型号： IPP126N10N3GXKSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： Trans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
- 库存地点： 内地
- 库存： 39
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.77149
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：13 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：58A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：94W Tc
- Turn Off Delay Time：24 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：OptiMOS™
- 已出版：2008
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子位置：SINGLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：94W
- 接通延迟时间：14 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：12.3m Ω @ 46A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 46μA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2500pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：35nC @ 10V
- 上升时间：8ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：5 ns
- 连续放电电流(ID)：58A
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大双电源电压：100V
- 雪崩能量等级（Eas）：70 mJ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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