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单MOSFET晶体管 / FQD2N60CTF
- 价格 起订量
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- ￥ 0 1000+
- 型号： FQD2N60CTF
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 221
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.9A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta 44W Tc
- Turn Off Delay Time：24 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：QFET®
- 已出版：2016
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 电压 - 额定直流：600V
- 额定电流：1.9A
- 电压：650V
- 元素配置：Single
- 电流：18A
- 功率耗散：2.5W
- 接通延迟时间：9 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：4.7 Ω @ 950mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：235pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：12nC @ 10V
- 上升时间：25ns
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：28 ns
- 连续放电电流(ID)：1.9mA
- 阈值电压：4V
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 漏源击穿电压：600V
- 高度：2.3mm
- 长度：6.6mm
- 宽度：6.1mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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