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单MOSFET晶体管 / STD2LN60K3
- 价格 起订量
- ￥ 9.00889 1+
- ￥ 8.49895 10+
- ￥ 8.01788 100+
- ￥ 7.56404 500+
- ￥ 7.13588 1000+
- 型号： STD2LN60K3
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET
- 库存地点： 内地
- 库存： 5081
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 9.00889
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：45W Tc
- Turn Off Delay Time：23.5 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：SuperMESH3™
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：STD2LN60
- 功率耗散：45W
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：4.5 Ω @ 1A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：235pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：12nC @ 10V
- 上升时间：8.5ns
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：21 ns
- 连续放电电流(ID)：2A
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 漏源击穿电压：600V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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