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单MOSFET晶体管 / FQNL2N50BTA
- 价格 起订量
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- 型号： FQNL2N50BTA
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
- 描述： MOSFET 500V N-Channel QFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 38
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
- 引脚数：3
- 质量：371.1027mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Turn Off Delay Time：10 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：3.7V @ 250μA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：350mA Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.5W Tc
- 系列：QFET®
- 已出版：2001
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Box (TB)
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：500V
- 端子位置：BOTTOM
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 额定电流：350mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.5W
- 接通延迟时间：6 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：5.3 Ω @ 175mA, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：230pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：8nC @ 10V
- 上升时间：25ns
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：25 ns
- 连续放电电流(ID)：350mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 漏源击穿电压：500V
- 宽度：3.9mm
- 高度：8mm
- 长度：4.9mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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