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单MOSFET晶体管 / STE48NM60
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
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- ￥ 0 1000+
- 型号： STE48NM60
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： ISOTOP
- 描述： MOSFET N-CH 650V 48A ISOTOP
- 库存地点： 内地
- 库存： 457
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：底座安装
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：ISOTOP
- 引脚数：4
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：48A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：450W Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：MDmesh™
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：4
- 电压 - 额定直流：600V
- 端子位置：UPPER
- 终端形式：UNSPECIFIED
- 额定电流：48A
- 基本部件号：STE48
- JESD-30代码：R-XUFM-X4
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：ISOLATED
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：110m Ω @ 22.5A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3800pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：134nC @ 10V
- 上升时间：20ns
- 漏源电压 (Vdss)：650V
- Vgs（最大值）：±30V
- 连续放电电流(ID)：48A
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：30A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.11Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：192A
- 雪崩能量等级（Eas）：850 mJ
- RoHS状态：Non-RoHS Compliant
- 无铅：含铅
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