简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FQB11N40TM
- 价格 起订量
- ￥ 4.85586 1+
- ￥ 4.58100 10+
- ￥ 4.32170 100+
- ￥ 4.07708 500+
- ￥ 3.84630 1000+
- 型号： FQB11N40TM
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 8845
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.85586
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：2
- 供应商器件包装：D2PAK (TO-263AB)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11.4A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.13W Ta 147W Tc
- Turn Off Delay Time：60 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2001
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：400V
- 额定电流：11.4A
- 元素配置：Single
- 功率耗散：3.13W
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：480mOhm @ 5.7A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1400pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：35nC @ 10V
- 上升时间：100ns
- 漏源电压 (Vdss)：400V
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：60 ns
- 连续放电电流(ID)：11.4A
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 漏源击穿电压：400V
- 输入电容：1.4nF
- 漏源电阻：380mOhm
- 最大rds：480 mΩ
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
FQB11N40TM ON Semiconductor- FQB11N40CTM ON Semiconductor
- FDB14N30TM ON Semiconductor
- FQB1P50TM ON Semiconductor
