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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FQB11N40CTM
- 价格 起订量
- ￥ 36.21682 1+
- ￥ 34.16681 10+
- ￥ 32.23284 100+
- ￥ 30.40834 500+
- ￥ 28.68711 1000+
- 型号： FQB11N40CTM
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： N-Channel 400 V 0.5 Ohm Surface Mount Mosfet - D2PAK-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 775
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 36.21682
付款方式
支付宝
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- 质量：1.31247g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：135W Tc
- Turn Off Delay Time：81 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：QFET®
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：快速切换
- 电压 - 额定直流：400V
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：10.5A
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：135W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：14 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：530m Ω @ 5.25A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1090pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：35nC @ 10V
- 上升时间：89ns
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：81 ns
- 连续放电电流(ID)：10.5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 漏源击穿电压：400V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：42A
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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