简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / NTMS4N01R2G
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： NTMS4N01R2G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC
- 库存地点： 内地
- 库存： 78000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.3A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：770mW Ta
- Turn Off Delay Time：45 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 附加功能：雪崩 额定
- 电压 - 额定直流：20V
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：unknown
- 额定电流：4.2A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：8
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.5W
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：40m Ω @ 4.2A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1200pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：16nC @ 4.5V
- 上升时间：35ns
- Vgs（最大值）：±10V
- 下降时间（典型值）：50 ns
- 连续放电电流(ID)：4.2A
- 阈值电压：950mV
- 栅极至源极电压(Vgs)：10V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.3A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.04Ohm
- 漏源击穿电压：20V
- 双电源电压：20V
- 栅源电压：950 mV
- 反馈上限-最大值 (Crss)：100 pF
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
NTMS4N01R2G ON Semiconductor
IRF7317TRPBF Infineon Technologies
FDS8433A ON Semiconductor
IRF7530TRPBF Infineon Technologies
BSO330N02KGFUMA1 Infineon Technologies
