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单MOSFET晶体管 / STD90N03L-1
- 价格 起订量
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- 型号： STD90N03L-1
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 描述： MOSFET N-Channel 30V Pwr Mosfet
- 库存地点： 内地
- 库存： 9000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：80A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：95W Tc
- Turn Off Delay Time：24 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：STripFET™ III
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：低阈值
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：unknown
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：STD90
- 引脚数量：3
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：95W
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：5.7m Ω @ 40A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2805pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：32nC @ 5V
- 上升时间：135ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：33 ns
- 连续放电电流(ID)：80A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0057Ohm
- 漏源击穿电压：30V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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