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单MOSFET晶体管 / PMF780SN,115
- 价格 起订量
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- 型号： PMF780SN,115
- 厂商： NXP USA Inc.
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SC-70, SOT-323
- 描述： MOSFET N-CH 60V 570MA SOT323
- 库存地点： 内地
- 库存： 240215
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-70, SOT-323
- 表面安装：YES
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：570mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：560mW Tc
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：TrenchMOS™
- 已出版：1997
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- HTS代码：8541.29.00.75
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PDSO-G3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：920m Ω @ 300mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：23pF @ 30V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：1.05nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.57A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.92Ohm
- DS 击穿电压-最小值：60V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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