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MOSFETs 晶体管阵列 / 2N7002DW
- 价格 起订量
- ￥ 3.13352 1+
- ￥ 2.95615 10+
- ￥ 2.78883 100+
- ￥ 2.63097 500+
- ￥ 2.48204 1000+
- 型号： 2N7002DW
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 描述： MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6
- 库存地点： 内地
- 库存： 5
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.13352
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 引脚数：6
- 供应商器件包装：SC-88 (SC-70-6)
- 质量：28mg
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：115mA
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：12.5 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2008
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 电阻：7.5Ohm
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 最大功率耗散：200mW
- 通道数量：2
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：200mW
- 接通延迟时间：5.85 ns
- 功率 - 最大：200mW
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：7.5Ohm @ 50mA, 5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：50pF @ 25V
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- 连续放电电流(ID)：115mA
- 阈值电压：1.76V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：78V
- 输入电容：50pF
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 漏源电阻：2Ohm
- 最大rds：7.5 Ω
- 栅源电压：1.76 V
- 高度：1.1mm
- 长度：2mm
- 宽度：1.25mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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