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单MOSFET晶体管 / STT7P2UH7
- 价格 起订量
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- 型号： STT7P2UH7
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SOT-23-6
- 描述： MOSFET POWER MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 2790
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6
- 质量：36.003894mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.5V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.6W Tc
- Turn Off Delay Time：128 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 系列：STripFET™
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：19.5mOhm
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：STT7P
- JESD-30代码：R-PDSO-G6
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 接通延迟时间：12.5 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：22.5m Ω @ 3.5A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2390pF @ 16V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：22nC @ 4.5V
- 上升时间：30.5ns
- Vgs（最大值）：±8V
- 下降时间（典型值）：84.5 ns
- 连续放电电流(ID)：7A
- 栅极至源极电压(Vgs)：8V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：7A
- 漏源击穿电压：20V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：28A
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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