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单MOSFET晶体管 / STT5N2VH5
- 价格 起订量
- ￥ 5.66697 1+
- ￥ 5.34620 10+
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- ￥ 4.75810 500+
- ￥ 4.48877 1000+
- 型号： STT5N2VH5
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SOT-23-6
- 描述： MOSFET N-CH 20V SOT23-6
- 库存地点： 内地
- 库存： 393365
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.66697
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：14 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6
- 引脚数：6
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.6W Tc
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 系列：STripFET™ V
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：40mOhm
- 基本部件号：STT5N
- 元素配置：Single
- 功率耗散：1.6W
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：30m Ω @ 2A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250μA (Min)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：367pF @ 16V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：4.6nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±8V
- 连续放电电流(ID)：5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：8V
- 漏源击穿电压：20V
- 高度：1.3mm
- 长度：3.05mm
- 宽度：1.75mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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