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单MOSFET晶体管 / STL70N10F3
- 价格 起订量
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- 型号： STL70N10F3
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerVDFN
- 描述： MOSFET N-Ch 100V 0.0065 Ohm 16A STripFET III MOS
- 库存地点： 内地
- 库存： 6348
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerVDFN
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：82A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：136W Tc
- Turn Off Delay Time：43 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 系列：STripFET™ III
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 基本部件号：STL70
- JESD-30代码：R-PDSO-F5
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：136W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：17 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：8.4m Ω @ 8A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3210pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：56nC @ 10V
- 上升时间：11ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：5.7 ns
- 连续放电电流(ID)：82A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：100V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：64A
- 雪崩能量等级（Eas）：770 mJ
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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