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单MOSFET晶体管 / NDBA100N10BT4H
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
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- ￥ 0 1000+
- 型号： NDBA100N10BT4H
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET N-CH 100V 100A DPAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 52388
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：100A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V 15V
- Power Dissipation (Max)：110W Tc
- Turn Off Delay Time：68 ns
- 操作温度：175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2011
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 接通延迟时间：40 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：6.9m Ω @ 50A, 15V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2950pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：35nC @ 10V
- 上升时间：385ns
- 漏源电压 (Vdss)：100V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：52 ns
- 连续放电电流(ID)：100A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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