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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STD16N50M2
- 价格 起订量
- ￥ 12.78399 1+
- ￥ 12.06037 10+
- ￥ 11.37771 100+
- ￥ 10.73369 500+
- ￥ 10.12612 1000+
- 型号： STD16N50M2
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET N-CH 500V 13A DPAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 9000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 12.78399
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 质量：3.949996g
- Power Dissipation (Max)：110W Tc
- Turn Off Delay Time：32 ns
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：13A Tc
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 系列：MDmesh™
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：STD16
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 接通延迟时间：9.6 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：280m Ω @ 6.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：710pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：19.5nC @ 10V
- 上升时间：7.6ns
- 漏源电压 (Vdss)：500V
- Vgs（最大值）：±25V
- 下降时间（典型值）：10 ns
- 连续放电电流(ID)：13A
- 栅极至源极电压(Vgs)：25V
- 漏源击穿电压：550V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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