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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IPD50R380CEAUMA1
- 价格 起订量
- ￥ 10.61840 1+
- ￥ 10.01736 10+
- ￥ 9.45034 100+
- ￥ 8.91541 500+
- ￥ 8.41077 1000+
- 型号： IPD50R380CEAUMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252
- 库存地点： 内地
- 库存： 5000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 10.61840
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：18 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：14.1A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：13V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：98W Tc
- Turn Off Delay Time：35 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：CoolMOS™
- 已出版：2008
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 通道数量：1
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：98W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：7.2 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：380m Ω @ 3.2A, 13V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 260μA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：584pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：24.8nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：14.1A
- 阈值电压：3V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大双电源电压：500V
- 漏源击穿电压：500V
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 场效应管特性：超级交界处
- 高度：2.55mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：含铅
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