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单MOSFET晶体管 / DMN2026UVT-7
- 价格 起订量
- ¥ 3.97686 1+
- ¥ 3.75176 10+
- ¥ 3.53939 100+
- ¥ 3.33905 500+
- ¥ 3.15005 1000+
- 型号: DMN2026UVT-7
- 厂商: Diodes Incorporated
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 描述: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
- 库存地点: 内地
- 库存: 14562
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 3.97686
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:16 Weeks
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:6.2A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):2.5V 4.5V
- Power Dissipation (Max):1.15W Ta
- 操作温度:-55°C~150°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 已出版:2015
- JESD-609代码:e3
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Matte Tin (Sn)
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
- 场效应管类型:N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs:24m Ω @ 6.2A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:887pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:18.4nC @ 8V
- 漏源电压 (Vdss):20V
- Vgs(最大值):±10V
- 连续放电电流(ID):6.2A
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
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