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单MOSFET晶体管 / DMN2026UVT-7

  • 价格 起订量
  • ¥ 3.97686 1+
  • ¥ 3.75176 10+
  • ¥ 3.53939 100+
  • ¥ 3.33905 500+
  • ¥ 3.15005 1000+
  • 型号: DMN2026UVT-7
  • 厂商: Diodes Incorporated
  • 类别: 单MOSFET晶体管
  • 封装: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 描述: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 14562
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 3.97686

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 工厂交货时间:16 Weeks
  • 底架:表面贴装
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装/外壳:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:6.2A Tc
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):2.5V 4.5V
  • Power Dissipation (Max):1.15W Ta
  • 操作温度:-55°C~150°C TJ
  • 包装:Tape & Reel (TR)
  • 已出版:2015
  • JESD-609代码:e3
  • 零件状态:活跃
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • ECCN 代码:EAR99
  • 端子表面处理:Matte Tin (Sn)
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
  • 场效应管类型:N-Channel
  • Rds On(Max)@Id,Vgs:24m Ω @ 6.2A, 4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:887pF @ 10V
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:18.4nC @ 8V
  • 漏源电压 (Vdss):20V
  • Vgs(最大值):±10V
  • 连续放电电流(ID):6.2A
  • RoHS状态:ROHS3 Compliant

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