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单MOSFET晶体管 / CPH3356-TL-H
- 价格 起订量
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- 型号： CPH3356-TL-H
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3
- 库存地点： 内地
- 库存： 36000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 表面安装：YES
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.5A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1W Ta
- Turn Off Delay Time：34 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- Reach合规守则：not_compliant
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1W
- 接通延迟时间：5.7 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：137m Ω @ 1A, 4.5V
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：250pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：3.3nC @ 4.5V
- 上升时间：11ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- Vgs（最大值）：±10V
- 下降时间（典型值）：20 ns
- 连续放电电流(ID)：2.5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：10V
- 漏源击穿电压：-20V
- 高度：900μm
- 长度：2.9mm
- 宽度：1.6mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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