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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STD9HN65M2
- 价格 起订量
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- ￥ 0 1000+
- 型号： STD9HN65M2
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 530
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：NRND (Last Updated: 8 months ago)
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 安装类型：表面贴装
- 底架：表面贴装
- 供应商器件包装：DPAK
- Power Dissipation (Max)：60W Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5.5A Tc
- 系列：MDmesh™ M2
- 包装：Cut Tape (CT)
- 操作温度：150°C TJ
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 基本部件号：STD9H
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：820mOhm @ 2.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：325pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：11.5nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：650V
- Vgs（最大值）：±25V
- 连续放电电流(ID)：5.5A
- 输入电容：325pF
- 最大rds：820 mΩ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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