简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STD30N6LF6AG
- 价格 起订量
- ￥ 7.77519 1+
- ￥ 7.33509 10+
- ￥ 6.91990 100+
- ￥ 6.52820 500+
- ￥ 6.15868 1000+
- 型号： STD30N6LF6AG
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET N-CH 60V 24A
- 库存地点： 内地
- 库存： 40
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 7.77519
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 安装类型：表面贴装
- 底架：表面贴装
- 晶体管元件材料：SILICON
- Power Dissipation (Max)：40W Tc
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：24A Tc
- 系列：Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
- 包装：Cut Tape (CT)
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：STD30N
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：25m Ω @ 12A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1320pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：26nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：24A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.03Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：96A
- DS 击穿电压-最小值：60V
- 雪崩能量等级（Eas）：130 mJ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
STD30N6LF6AG STMicroelectronics
IPD30N06S4L23ATMA2 Infineon Technologies- IPD30N06S2L23ATMA3 Infineon Technologies
- IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon Technologies
HUFA76429D3S ON Semiconductor
