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单MOSFET晶体管 / IPD25N06S4L30ATMA2
- 价格 起订量
- ￥ 5.46915 1+
- ￥ 5.15958 10+
- ￥ 4.86753 100+
- ￥ 4.59201 500+
- ￥ 4.33208 1000+
- 型号： IPD25N06S4L30ATMA2
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 8706
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.46915
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：25A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Power Dissipation (Max)：29W Tc
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
- 已出版：2009
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- Reach合规守则：not_compliant
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：30m Ω @ 25A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 8μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1220pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：16.3nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±16V
- 连续放电电流(ID)：25A
- 最大双电源电压：60V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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