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单MOSFET晶体管 / FDD86367-F085
- 价格 起订量
- ￥ 16.69264 1+
- ￥ 15.74778 10+
- ￥ 14.85639 100+
- ￥ 14.01546 500+
- ￥ 13.22214 1000+
- 型号： FDD86367-F085
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 80V, 100A, 4.2 mO,
- 库存地点： 内地
- 库存： 12
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 16.69264
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：47 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 质量：260.37mg
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：227W Tj
- Turn Off Delay Time：36 ns
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：100A Tc
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 功率耗散：227W
- 接通延迟时间：20 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：4.2m Ω @ 80A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：4840pF @ 40V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：88nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：100A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：80V
- 最大结点温度（Tj）：175°C
- 高度：2.517mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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