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单MOSFET晶体管 / IRFH8303TRPBF
- 价格 起订量
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- ￥ 12.33871 500+
- ￥ 11.64030 1000+
- 型号： IRFH8303TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 5000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 14.69561
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：43A Ta 100A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Power Dissipation (Max)：3.7W Ta 156W Tc
- Turn Off Delay Time：48 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®, StrongIRFET™
- 已出版：2013
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 配置：Single
- 通道数量：1
- 功率耗散：3.7W
- 接通延迟时间：21 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.1m Ω @ 50A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 150μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：7736pF @ 24V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：179nC @ 10V
- 上升时间：91ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：65 ns
- 连续放电电流(ID)：100A
- 阈值电压：1.7V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：43A
- 漏源击穿电压：30V
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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