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单MOSFET晶体管 / IPD60R380P6ATMA1
- 价格 起订量
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- ￥ 10.47520 500+
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- 型号： IPD60R380P6ATMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： INFINEON IPD60R380P6Power MOSFET, N Channel, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V
- 库存地点： 内地
- 库存： 15000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 12.47613
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：18 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：PG-TO252-3
- 质量：3.949996g
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10.6A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：83W Tc
- Turn Off Delay Time：33 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：CoolMOS™ P6
- 已出版：2008
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 通道数量：1
- 接通延迟时间：12 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：380mOhm @ 3.8A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 320μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：877pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：19nC @ 10V
- 上升时间：6ns
- 漏源电压 (Vdss)：600V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：7 ns
- 连续放电电流(ID)：10.6A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大双电源电压：600V
- 漏源击穿电压：600V
- 输入电容：877pF
- 漏源电阻：342mOhm
- 最大rds：380 mΩ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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