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单MOSFET晶体管 / NVMFS4C03NWFT1G
- 价格 起订量
- ￥ 18.43563 1+
- ￥ 17.39210 10+
- ￥ 16.40764 100+
- ￥ 15.47891 500+
- ￥ 14.60274 1000+
- 型号： NVMFS4C03NWFT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL
- 库存地点： 内地
- 库存： 3980
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 18.43563
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：31.4A Ta 143A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.71W Ta 77W Tc
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2014
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- Reach合规守则：not_compliant
- 参考标准：AEC-Q101
- JESD-30代码：R-PDSO-F5
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.1m Ω @ 30A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3071pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：45.2nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：143A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0024Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：900A
- DS 击穿电压-最小值：30V
- 雪崩能量等级（Eas）：549 mJ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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