简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / NTMFS4C03NT1G
- 价格 起订量
- ￥ 7.32078 1+
- ￥ 6.90640 10+
- ￥ 6.51547 100+
- ￥ 6.14667 500+
- ￥ 5.79874 1000+
- 型号： NTMFS4C03NT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： Single N-Channel Power MOSFET 30V, 136A, 2.1mO
- 库存地点： 内地
- 库存： 15000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 7.32078
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：30A Ta 136A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.1W Ta 64W Tc
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2014
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PDSO-F5
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.1m Ω @ 30A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3071pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：45.2nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：136A
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：900A
- DS 击穿电压-最小值：30V
- 雪崩能量等级（Eas）：549 mJ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
NTMFS4C03NT1G ON Semiconductor- NVMFS4C03NT1G ON Semiconductor
- NVMFS4C03NWFT1G ON Semiconductor
BSC0501NSIATMA1 Infineon Technologies
IRFH8311TRPBF Infineon Technologies
