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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / TP5322N8-G
- 价格 起订量
- ￥ 17.30462 1+
- ￥ 16.32511 10+
- ￥ 15.40105 100+
- ￥ 14.52929 500+
- ￥ 13.70688 1000+
- 型号： TP5322N8-G
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-243AA
- 描述： MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-220V,12 Ohm3 SOT-89T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 6000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 17.30462
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：18 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-243AA
- 引脚数：4
- 质量：52.786812mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：260mA Tj
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.6W Ta
- Turn Off Delay Time：20 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：12Ohm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：逻辑电平兼容
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- JESD-30代码：R-PSSO-F3
- 资历状况：不合格
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.6W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：10 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：12 Ω @ 200mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：110pF @ 25V
- 上升时间：15ns
- 漏源电压 (Vdss)：220V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：15 ns
- 连续放电电流(ID)：-260mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.26A
- 漏源击穿电压：-220V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：0.9A
- 高度：1.6mm
- 长度：4.6mm
- 宽度：2.6mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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