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单MOSFET晶体管 / STB141NF55
- 价格 起订量
- ￥ 9.13936 1+
- ￥ 8.62204 10+
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- ￥ 7.67358 500+
- ￥ 7.23923 1000+
- 型号： STB141NF55
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 37
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 9.13936
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：80A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：300W Tc
- Turn Off Delay Time：125 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：STripFET™ II
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn) - annealed
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：245
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：STB141N
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：300W
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：8m Ω @ 40A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：5300pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：142nC @ 10V
- 上升时间：150ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：45 ns
- 连续放电电流(ID)：80A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.008Ohm
- 漏源击穿电压：55V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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