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单MOSFET晶体管 / BSS225H6327FTSA1
- 价格 起订量
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- ￥ 3.87276 10+
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- ￥ 3.25165 1000+
- 型号： BSS225H6327FTSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-243AA
- 描述： Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-89 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 569
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.10513
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：10 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-243AA
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1W Ta
- Turn Off Delay Time：62 ns
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：90mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 系列：SIPMOS®
- 已出版：2011
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：逻辑电平兼容
- 电压 - 额定直流：600V
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 额定电流：90mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：3
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：14 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：45 Ω @ 90mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 94μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：131pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：5.8nC @ 10V
- 上升时间：38ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：41 ns
- 连续放电电流(ID)：90mA
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大双电源电压：600V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.09A
- 漏源击穿电压：600V
- 反馈上限-最大值 (Crss)：4.4 pF
- 高度：1.5mm
- 长度：4.5mm
- 宽度：2.5mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：含铅
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