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单MOSFET晶体管 / BSS87H6327FTSA1
- 价格 起订量
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- ￥ 4.19633 500+
- ￥ 3.95880 1000+
- 型号： BSS87H6327FTSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-243AA
- 描述： In a Pack of 100, N-Channel MOSFET, 260 mA, 240 V, 3-Pin SOT-89 Infineon BSS87H6327XTSA1
- 库存地点： 内地
- 库存： 52388
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.99789
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-243AA
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：260mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1W Ta
- Turn Off Delay Time：17.6 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：SIPMOS®
- 已出版：1997
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：4
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 附加功能：逻辑电平兼容
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 引脚数量：4
- JESD-30代码：R-PDSO-F4
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：3.7 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：6 Ω @ 260mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 108μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：97pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：5.5nC @ 10V
- 上升时间：3.5ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：27.3 ns
- 连续放电电流(ID)：290mA
- 阈值电压：1.5V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大双电源电压：240V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.26A
- 漏极-源极导通最大电阻：6Ohm
- 漏源击穿电压：240V
- 双电源电压：240V
- 栅源电压：1.5 V
- 高度：1.5mm
- 长度：4.5mm
- 宽度：2.5mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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