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单MOSFET晶体管 / DMN3025LSS-13
- 价格 起订量
- ￥ 3.42277 1+
- ￥ 3.22903 10+
- ￥ 3.04625 100+
- ￥ 2.87382 500+
- ￥ 2.71116 1000+
- 型号： DMN3025LSS-13
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO
- 库存地点： 内地
- 库存： 15000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.42277
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：7 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 质量：73.992255mg
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7.2A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Power Dissipation (Max)：1.4W Ta
- Turn Off Delay Time：22.3 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 配置：Single
- 通道数量：1
- 接通延迟时间：3.3 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：20m Ω @ 10A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：641pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：13.2nC @ 10V
- 上升时间：4.4ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：5.3 ns
- 连续放电电流(ID)：7.2A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：30V
- 高度：1.5mm
- 长度：4.95mm
- 宽度：3.95mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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