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单MOSFET晶体管 / IRF7749L2TRPBF
- 价格 起订量
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- 型号： IRF7749L2TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： DirectFET™ Isometric L8
- 描述： MOSFET N-CH 60V DIRECTFET L8
- 库存地点： 内地
- 库存： 3442
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 54.89253
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：DirectFET™ Isometric L8
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- 制造商包装标识符：IRF7749L2TRPBF
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：33A Ta 375A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.3W Ta 125W Tc
- Turn Off Delay Time：72 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2009
- JESD-609代码：e1
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：9
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：锡银铜
- 端子位置：BOTTOM
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- JESD-30代码：R-XBCC-N9
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 通道数量：1
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：3.8W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：29 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.5m Ω @ 120A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：12320pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：300nC @ 10V
- 上升时间：43ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：39 ns
- 连续放电电流(ID)：33A
- 阈值电压：4V
- 栅极至源极电压(Vgs)：60V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：375A
- 漏源击穿电压：60V
- 雪崩能量等级（Eas）：260 mJ
- 最大结点温度（Tj）：175°C
- 栅源电压：2.9 V
- 高度：740μm
- 长度：9.144mm
- 宽度：7.112mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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