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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / NTMD4184PFR2G
- 价格 起订量
- ￥ 4.23650 1+
- ￥ 3.99670 10+
- ￥ 3.77047 100+
- ￥ 3.55705 500+
- ￥ 3.35570 1000+
- 型号： NTMD4184PFR2G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
- 库存地点： 内地
- 库存： 30000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.23650
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)
- 工厂交货时间：38 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.3A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：770mW Ta
- Turn Off Delay Time：18 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2008
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 引脚数量：8
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.31W
- 接通延迟时间：7.2 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：95m Ω @ 3A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：360pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：4.2nC @ 4.5V
- 上升时间：12ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：2.8 ns
- 连续放电电流(ID)：2.3A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：4A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.095Ohm
- 漏源击穿电压：-30V
- 场效应管特性：Schottky Diode (Isolated)
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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