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单MOSFET晶体管 / IRLHM620TRPBF
- 价格 起订量
- ￥ 8.50174 1+
- ￥ 8.02051 10+
- ￥ 7.56652 100+
- ￥ 7.13823 500+
- ￥ 6.73418 1000+
- 型号： IRLHM620TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 8000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 8.50174
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 安装类型：表面贴装
- 底架：表面贴装
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：26A Ta 40A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V 10V
- Turn Off Delay Time：57 ns
- Power Dissipation (Max)：2.7W Ta 37W Tc
- Number of Elements：1
- 已出版：2009
- 系列：HEXFET®
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：3.5MOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 端子位置：DUAL
- JESD-30代码：S-PDSO-N5
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：37W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：7.5 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.5m Ω @ 20A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 50μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3620pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：78nC @ 4.5V
- 上升时间：25ns
- Vgs（最大值）：±12V
- 下降时间（典型值）：37 ns
- 连续放电电流(ID)：26A
- 阈值电压：800mV
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 漏源击穿电压：20V
- 栅源电压：800 mV
- 宽度：3.3mm
- 长度：3.2766mm
- 高度：990.6μm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 辐射硬化：无
- 达到SVHC：无SVHC
- 无铅：无铅
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