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单MOSFET晶体管 / NTMFS6B05NT1G
- 价格 起订量
- ￥ 40.04688 1+
- ￥ 37.78007 10+
- ￥ 35.64158 100+
- ￥ 33.62413 500+
- ￥ 31.72088 1000+
- 型号： NTMFS6B05NT1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： ON SEMICONDUCTOR NTMFS6B05NT1G MOSFET Transistor, N Channel, 104 A, 100 V, 0.0065 ohm, 10 V, 4 V
- 库存地点： 内地
- 库存： 23233
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 40.04688
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：5
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：16A Ta 104A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
- Power Dissipation (Max)：3.3W Ta 138W Tc
- Turn Off Delay Time：39 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- Reach合规守则：not_compliant
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 接通延迟时间：14 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：8m Ω @ 20A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3100pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：44nC @ 10V
- 上升时间：43ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：16 ns
- 连续放电电流(ID)：104A
- 阈值电压：4V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：100V
- 高度：1.05mm
- 长度：6.1mm
- 宽度：5.1mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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