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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDBL0110N60
- 价格 起订量
- ￥ 43.22614 1+
- ￥ 40.77938 10+
- ￥ 38.47111 100+
- ￥ 36.29350 500+
- ￥ 34.23915 1000+
- 型号： FDBL0110N60
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerSFN
- 描述： TAPE REEL / TO- , MV7, 60V
- 库存地点： 内地
- 库存： 19000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 43.22614
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerSFN
- 引脚数：8
- 质量：850.0521mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：300A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：429W Tj
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PSSO-F2
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.1m Ω @ 80A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：13650pF @ 30V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：220nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：300A
- JEDEC-95代码：MO-299A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0011Ohm
- DS 击穿电压-最小值：60V
- 雪崩能量等级（Eas）：1167 mJ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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