简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STS10P4LLF6
- 价格 起订量
- ￥ 10.69646 1+
- ￥ 10.09100 10+
- ￥ 9.51981 100+
- ￥ 8.98096 500+
- ￥ 8.47260 1000+
- 型号： STS10P4LLF6
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC
- 库存地点： 内地
- 库存： 24
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 10.69646
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- 工厂交货时间：20 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Power Dissipation (Max)：2.7W Ta
- Turn Off Delay Time：170 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 系列：STripFET™ F6
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：STS10
- 元素配置：Single
- 接通延迟时间：49.4 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：15m Ω @ 3A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA (Min)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3525pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：34nC @ 4.5V
- 漏源电压 (Vdss)：40V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：10A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 高度：1.5mm
- 长度：5mm
- 宽度：4mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
STS10P4LLF6 STMicroelectronics
FDS4141 ON Semiconductor- FDS4675 ON Semiconductor
IRF7424TRPBF Infineon Technologies- FDS8447 ON Semiconductor
