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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDY101PZ
- 价格 起订量
- ￥ 4.24439 1+
- ￥ 4.00414 10+
- ￥ 3.77749 100+
- ￥ 3.56367 500+
- ￥ 3.36195 1000+
- 型号： FDY101PZ
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SC-89, SOT-490
- 描述： MOSFET -20VSgl P-Ch -2.5V Spec PwrTrch MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 2517
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.24439
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-89, SOT-490
- 引脚数：3
- 质量：30mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：150mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.5V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：625mW Ta
- Turn Off Delay Time：8 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2008
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：625mW
- 接通延迟时间：6 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：8 Ω @ 150mA, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：100pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：1.4nC @ 4.5V
- 上升时间：13ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- Vgs（最大值）：±8V
- 下降时间（典型值）：13 ns
- 连续放电电流(ID)：150mA
- 阈值电压：-1V
- 栅极至源极电压(Vgs)：8V
- 漏极-源极导通最大电阻：8Ohm
- 漏源击穿电压：-20V
- 高度：780μm
- 长度：1.7mm
- 宽度：980μm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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