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MOSFETs 晶体管阵列 / FDY4001CZ
- 价格 起订量
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- ￥ 0.99104 100+
- ￥ 0.93495 500+
- ￥ 0.88202 1000+
- 型号： FDY4001CZ
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： SOT-563, SOT-666
- 描述： MOSFET N/P-CH 20V SC89-6
- 库存地点： 内地
- 库存： 120451
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.11354
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-563, SOT-666
- 引脚数：89
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：200mA 150mA
- Turn Off Delay Time：8 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2006
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 电压 - 额定直流：20V
- 最大功率耗散：446mW
- 额定电流：200mA
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：625mW
- 场效应管类型：N and P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：5 Ω @ 200mA, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：60pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：1.1nC @ 4.5V
- 上升时间：13ns
- 下降时间（典型值）：13 ns
- 连续放电电流(ID)：150mA
- 阈值电压：1V
- 栅极至源极电压(Vgs)：8V
- 漏源击穿电压：-20V
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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