简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / DMS3016SSS-13
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： DMS3016SSS-13
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO
- 库存地点： 内地
- 库存： 30000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：7 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 供应商器件包装：8-SO
- 质量：73.992255mg
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：9.8A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.54W Ta
- Turn Off Delay Time：36.41 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2010
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 通道数量：1
- 功率耗散：1.54W
- 接通延迟时间：6.62 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：13mOhm @ 9.8A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1849pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：43nC @ 10V
- 上升时间：8.73ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±12V
- 下降时间（典型值）：4.69 ns
- 连续放电电流(ID)：9.8A
- 阈值电压：1V
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 输入电容：1.849nF
- 场效应管特性：Schottky Diode (Body)
- 漏源电阻：9mOhm
- 最大rds：13 mΩ
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
DMS3016SSS-13 Diodes Incorporated
IRL6342TRPBF Infineon Technologies- IRF9328TRPBF Infineon Technologies
NTMS4873NFR2G ON Semiconductor
