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单MOSFET晶体管 / IRL6342TRPBF
- 价格 起订量
- ￥ 5.13236 1+
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- ￥ 4.06531 1000+
- 型号： IRL6342TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
- 库存地点： 内地
- 库存： 10925
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.13236
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：15 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：9.9A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.5V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta
- Turn Off Delay Time：33 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2011
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：14.6MOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.5W
- 接通延迟时间：6 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：14.6m Ω @ 9.9A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 10μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1025pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：11nC @ 4.5V
- 上升时间：12ns
- Vgs（最大值）：±12V
- 下降时间（典型值）：14 ns
- 连续放电电流(ID)：9.9A
- 阈值电压：1.1V
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 漏源击穿电压：30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：79A
- 栅源电压：1.1 V
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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