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单MOSFET晶体管 / RRR015P03TL
- 价格 起订量
- ￥ 4.46764 1+
- ￥ 4.21476 10+
- ￥ 3.97619 100+
- ￥ 3.75112 500+
- ￥ 3.53879 1000+
- 型号： RRR015P03TL
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SC-96
- 描述： MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
- 库存地点： 内地
- 库存： 893
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.46764
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：20 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-96
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.5A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：540mW Ta
- Turn Off Delay Time：40 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：yes
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：10
- 引脚数量：3
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 接通延迟时间：12 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：160m Ω @ 1.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：230pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：6.5nC @ 10V
- 上升时间：8ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：13 ns
- 连续放电电流(ID)：1.5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：-30V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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