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单MOSFET晶体管 / IRLML2803TRPBF
- 价格 起订量
- ￥ 3.12367 1+
- ￥ 2.94686 10+
- ￥ 2.78006 100+
- ￥ 2.62270 500+
- ￥ 2.47424 1000+
- 型号： IRLML2803TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
- 库存地点： 内地
- 库存： 3000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.12367
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- 制造商包装标识符：Micro3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.2A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：540mW Ta
- Turn Off Delay Time：9 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2007
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：250mOhm
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 电压 - 额定直流：30V
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：1.2A
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：540mW
- 接通延迟时间：3.9 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：250m Ω @ 910mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：85pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：5nC @ 10V
- 上升时间：4ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：1.7 ns
- 连续放电电流(ID)：1.2A
- 阈值电压：1V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：30V
- 双电源电压：30V
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 栅源电压：1 V
- 最小击穿电压：30V
- 高度：1.12mm
- 长度：3.0226mm
- 宽度：1.397mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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