简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IRL40B212
- 价格 起订量
- ￥ 22.05559 1+
- ￥ 20.80716 10+
- ￥ 19.62940 100+
- ￥ 18.51830 500+
- ￥ 17.47009 1000+
- 型号： IRL40B212
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： MOSFET N-CH 40V 195A
- 库存地点： 内地
- 库存： 2987
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 22.05559
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：195A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Power Dissipation (Max)：231W Tc
- Turn Off Delay Time：88 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：HEXFET®, StrongIRFET™
- 已出版：2013
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 元素配置：Single
- 接通延迟时间：39 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.9m Ω @ 100A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 150μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：8320pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：137nC @ 4.5V
- 漏源电压 (Vdss)：40V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：195A
- 阈值电压：2.4V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 高度：16.51mm
- 长度：10.67mm
- 宽度：4.83mm
- 达到SVHC：Unknown
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
IRL40B212 Infineon Technologies- IRFB7437PBF Infineon Technologies
- IRFB7434PBF Infineon Technologies
FDP8870 ON Semiconductor- IRLB3034PBF Infineon Technologies
