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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDP8870
- 价格 起订量
- ￥ 17.33594 1+
- ￥ 16.35466 10+
- ￥ 15.42892 100+
- ￥ 14.55559 500+
- ￥ 13.73169 1000+
- 型号： FDP8870
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220AB
- 描述： MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
- 库存地点： 内地
- 库存： 102
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 17.33594
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：10 Weeks
- 底架：通孔
- 包装/外壳：TO-220AB
- 引脚数：3
- 质量：1.8g
- Number of Elements：1
- Turn Off Delay Time：70 ns
- 包装：Tube
- 已出版：2004
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：4.1MOhm
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最高工作温度：175°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：30V
- 最大功率耗散：160W
- 额定电流：160A
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：160W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：11 ns
- 晶体管应用：SWITCHING
- 上升时间：105ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 下降时间（典型值）：46 ns
- 连续放电电流(ID)：156A
- 阈值电压：2.5V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：30V
- 输入电容：5.2nF
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 漏源电阻：4.1mOhm
- 最大rds：4.1 mΩ
- 栅源电压：2.5 V
- 高度：9.4mm
- 长度：10.67mm
- 宽度：4.83mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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