简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IRF1104PBF
- 价格 起订量
- ￥ 11.41949 1+
- ￥ 10.77310 10+
- ￥ 10.16330 100+
- ￥ 9.58802 500+
- ￥ 9.04530 1000+
- 型号： IRF1104PBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： MOSFET N-CH 40V 100A TO-220AB
- 库存地点： 内地
- 库存： 15000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 11.41949
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：100A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：170W Tc
- Turn Off Delay Time：28 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：HEXFET®
- 已出版：1998
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 终端：通孔
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：9mOhm
- 附加功能：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
- 电压 - 额定直流：40V
- 额定电流：100A
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：170W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：15 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：9m Ω @ 60A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2900pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：93nC @ 10V
- 上升时间：114ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：19 ns
- 连续放电电流(ID)：100A
- 阈值电压：4V
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：40V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：400A
- 双电源电压：40V
- 恢复时间：110 ns
- 栅源电压：4 V
- 高度：8.77mm
- 长度：10.5156mm
- 宽度：4.69mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
IRF1104PBF Infineon Technologies- IRF3709PBF Infineon Technologies
- IRFB7440PBF Infineon Technologies
- IRF4104PBF Infineon Technologies
FDP6670AL ON Semiconductor
