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单MOSFET晶体管 / FDP6670AL
- 价格 起订量
- ￥ 5.12578 1+
- ￥ 4.83564 10+
- ￥ 4.56193 100+
- ￥ 4.30371 500+
- ￥ 4.06010 1000+
- 型号： FDP6670AL
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
- 库存地点： 内地
- 库存： 21529
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.12578
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- 质量：1.8g
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：80A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：68W Tc
- Turn Off Delay Time：42 ns
- 操作温度：-65°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2003
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终端：通孔
- 元素配置：Single
- 功率耗散：68W
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：6.5m Ω @ 40A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2440pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：33nC @ 5V
- 上升时间：13ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：15 ns
- 连续放电电流(ID)：80A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：30V
- 双电源电压：30V
- 栅源电压：1.9 V
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
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