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单MOSFET晶体管 / MCH6353-TL-W
- 价格 起订量
- ￥ 4.35370 1+
- ￥ 4.10726 10+
- ￥ 3.87477 100+
- ￥ 3.65545 500+
- ￥ 3.44854 1000+
- 型号： MCH6353-TL-W
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 6-SMD, Flat Leads
- 描述： Single P-Channel Power MOSFET -12V, -6.0A, 35 mO
- 库存地点： 内地
- 库存： 6000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.35370
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：5 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-SMD, Flat Leads
- 引脚数：6
- 质量：7.512624mg
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.5V 4.5V
- Turn Off Delay Time：165 ns
- Power Dissipation (Max)：1.4W Ta
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6A Ta
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 无铅代码：yes
- 零件状态：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 功率耗散：1.4W
- 接通延迟时间：8.4 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：35m Ω @ 3A, 4.5V
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1250pF @ 6V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：12nC @ 4.5V
- 上升时间：48ns
- 漏源电压 (Vdss)：12V
- Vgs（最大值）：±10V
- 下降时间（典型值）：68 ns
- 连续放电电流(ID)：6A
- 栅极至源极电压(Vgs)：10V
- 漏源击穿电压：-12V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 辐射硬化：无
- 无铅：无铅
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