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MOSFETs 晶体管阵列 / DMC1017UPD-13
- 价格 起订量
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- ￥ 1.17389 500+
- ￥ 1.10744 1000+
- 型号： DMC1017UPD-13
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： MOSFET Enh FET 12Vdss 8Vgss 20V Complementary
- 库存地点： 内地
- 库存： 38
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.39812
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- 质量：95.991485mg
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：13A Ta 9.4A Ta
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 已出版：2015
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 最大功率耗散：2.3W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 通道数量：2
- 场效应管类型：N and P-Channel Complementary
- Rds On(Max)@Id,Vgs：17m Ω @ 11.8A, 4.5V, 32m Ω @ 8.9A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1787pF @ 6V 2100pF @ 6V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：18.6nC @ 4.5V, 23.7nC @ 4.5V
- 漏源电压 (Vdss)：12V
- 连续放电电流(ID)：6.9A
- 栅极至源极电压(Vgs)：8V
- 场效应管特性：Standard
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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